ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಮಾದರಿ
ವಿವರಿಸಿ
ವರ್ಗ
ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ - FET, MOSFET - ಏಕ
ತಯಾರಕ
ಇನ್ಫಿನಿಯನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜೀಸ್
ಸರಣಿ
CoolGaN™
ಪ್ಯಾಕೇಜ್
ಟೇಪ್ ಮತ್ತು ರೀಲ್ (TR)
ಶಿಯರ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ (CT)
ಡಿಜಿ-ರೀಲ್ ® ಕಸ್ಟಮ್ ರೀಲ್
ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ
ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ
FET ಪ್ರಕಾರ
ಎನ್ ಚಾನಲ್
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ
GANFET (ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್)
ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vdss)
600V
25°C ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (Id)
31A (Tc)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ Rds ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ Rds ಆನ್)
-
ವಿಭಿನ್ನ ಐಡಿ, ವಿಜಿಗಳಲ್ಲಿ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಗರಿಷ್ಠ).
-
ವಿವಿಧ ಐಡಿಗಳಲ್ಲಿ Vgs(th) (ಗರಿಷ್ಠ)
1,6V @ 2,6mA
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ)
-10 ವಿ
ಇನ್‌ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) ವಿವಿಧ ವಿಡಿಗಳಲ್ಲಿ (ಗರಿಷ್ಠ)
380pF @ 400V
FET ಕಾರ್ಯ
-
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ)
125W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಅನುಸ್ಥಾಪನೆಯ ಪ್ರಕಾರ
ಮೇಲ್ಮೈ ಮೌಂಟ್ ಪ್ರಕಾರ
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್
PG-DSO-20-87
ಪ್ಯಾಕೇಜ್/ಆವರಣ
20-PowerSOIC (0.433″, 11.00mm ಅಗಲ)
ಮೂಲ ಉತ್ಪನ್ನ ಸಂಖ್ಯೆ
IGOT60
ಮಾಧ್ಯಮ ಮತ್ತು ಡೌನ್‌ಲೋಡ್‌ಗಳು
ಸಂಪನ್ಮೂಲ ಪ್ರಕಾರ
LINK
ವಿಶೇಷಣಗಳು
IGOT60R070D1
GaN ಆಯ್ಕೆ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ
CoolGaN™ 600 V ಇ-ಮೋಡ್ GaN HEMTs ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ
ಇತರ ಸಂಬಂಧಿತ ದಾಖಲೆಗಳು
ಅಡಾಪ್ಟರ್‌ಗಳು/ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ GaN
ಸರ್ವರ್ ಮತ್ತು ಟೆಲಿಕಾಂನಲ್ಲಿ GaN
CoolGaN ನ ನೈಜತೆ ಮತ್ತು ಅರ್ಹತೆ
ಏಕೆ CoolGaN
ವೈರ್‌ಲೆಸ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್‌ನಲ್ಲಿ GaN
ವೀಡಿಯೊ ಫೈಲ್
GaN EiceDRIVER™ ಒಳಗೊಂಡ CoolGaN™ 600V ಇ-ಮೋಡ್ HEMT ಅರ್ಧ-ಸೇತುವೆ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ವೇದಿಕೆ
CoolGaN™ - ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ ಮಾದರಿ
CoolGaN™ 600 V ಬಳಸಿಕೊಂಡು 2500 W ಪೂರ್ಣ-ಸೇತುವೆ ಟೋಟೆಮ್ ಪೋಲ್ PFC ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಂಡಳಿ
HTML ವಿಶೇಷಣಗಳು
CoolGaN™ 600 V ಇ-ಮೋಡ್ GaN HEMTs ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ
IGOT60R070D1
ಪರಿಸರ ಮತ್ತು ರಫ್ತು ವರ್ಗೀಕರಣ
ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ವಿವರಿಸಿ
RoHS ಸ್ಥಿತಿ
ROHS3 ವಿವರಣೆಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿದೆ
ತೇವಾಂಶದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯ ಮಟ್ಟ (MSL)
3 (168 ಗಂಟೆಗಳು)
ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ತಲುಪಿ
ರೀಚ್ ಅಲ್ಲದ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
